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NTLJS1102P
TYPICAL CHARACTERISTICS
2400
2200
2000
1800
1600
1400
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
f = 1 MHz
5
4
3
? V DS
Q T
? V GS
5
4
3
1200 C oss
1000
800
600
400 C rss
2 Q GS
1
Q GD
V DS = ? 4 V
I D = ? 6.2 A
T J = 25 ° C
2
1
200
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
0
2
4
6
8
10
12
14
0
16
1000
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
10
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
100
V GS = ? 4.5 V
V DD = ? 4 V
I D = ? 6.2 A
t d(off)
t f
t r
1
10
t d(on)
T J = 125 ° C
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
1
1
10
100
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
T J = ? 55 ° C
0.6 0.7
0.8
0.9
1.0
0.8
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
50
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
I D = ? 250 m A
40
30
20
10
0
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
0
1E ? 03 1E ? 02 1E ? 01
1E+00
1E+01
1E+02 1E+03
T J , TEMPERATURE ( ° C)
Figure 11. Threshold Voltage
http://onsemi.com
5
SINGLE PULSE TIME (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
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